En ce qui concerne la mémoire primaire de type DDR, la capacité a été doublée selon une échelle binaire prévisible, passant de 4 à 8, 16, 32, 64 Go, etc. L’une des nouveautés de la DDR5 est la possibilité de modules de mémoire avec des nombres non binaires tels que 24, 48 et 96 Go. On s’attend à ce que les mémoires de ce type deviennent courantes côté serveur et se retrouvent maintenant également sur le marché grand public.
En début d’année, Crucial a été le premier à introduire des mémoires DDR5 avec des capacités de 24 et 48 Go pour les ordinateurs de bureau et portables. Maintenant, Corsair suit avec la série Vengeance orientée passionnés, qui, contrairement à l’idem de Crucial, a des ailettes de refroidissement et un support pour la finesse nécessaire comme l’éclairage disco – RVB.
Spécifications : Corsair Vengeance DDR5
numéro d’article | Capacité | Vitesse | Horaires | Tension | RVB |
|---|---|---|---|---|---|
CMH96GX5M2B5600C40 | 2 × 48 Go | DDR5-5600 | 40-40-40-77 (2T) | 1,25V | Et |
CMK96GX5M2B5600C40 | 2 × 48 Go | DDR5-5600 | 40-40-40-77 (2T) | 1,25V | Non |
CMH96GX5M2B5200C38 | 2 × 48 Go | DDR5-5200 | 38-38-38-88 (2T) | 1,25V | Et |
CMK96GX5M2B5200C38 | 2 × 48 Go | DDR5-5200 | 38-38-38-88 (2T) | 1,25V | Non |
CMH48GX5M2B5600C40 | 2 × 24 Go | DDR5-5600 | 40-40-40-77 (2T) | 1,25V | Et |
CMK48GX5M2B5600C40 | 2 × 24 Go | DDR5-5600 | 40-40-40-77 (2T) | 1,25V | Non |
CMH48GX5M2B5200C38 | 2 × 24 Go | DDR5-5200 | 38-38-38-88 (2T) | 1,25V | Et |
CMK48GX5M2B5200C38 | 2 × 24 Go | DDR5-5200 | 38-38-38-88 (2T) | 1,25V | Non |
Corsair n’a pas annoncé la nouvelle mémoire Vengeance, mais celles-ci sont révélées dans les listes de magasins (via Le matériel de Tom) mondial. L’un d’eux est PC Canada qui répertorie huit packs de mémoire, dont la moitié a une capacité totale de 96 Go (2 x 48 Go) et l’autre moitié de 48 Go (2 x 24 Go). En termes de spécifications, il s’agit essentiellement de quatre kits différents, chacun ayant une version avec prise en charge RVB.
L’introduction de “tailles intermédiaires” telles que 24, 48 et 96 Go avec des mémoires DDR5 est pour des raisons de prix et de fabrication. Réduire les cellules de mémoire et faire de la place pour plus sur une zone de circuit donnée n’a pas été une évidence pendant de nombreuses années, mais au contraire, le développement sur ce front s’est pratiquement arrêté. Il n’est donc pas non plus évident que dans un avenir prévisible, il soit possible de doubler la capacité de mémoire d’un seul module.
Il existe d’autres moyens d’avancer, mais ceux-ci ont un prix plus élevé que ce qui serait acceptable au niveau du consommateur et, dans certains cas, également des clients au pouvoir d’achat opérant dans des centres de données. Il utilise une technologie de conditionnement telle que Through-Silicon Via (TSV), où les chemins de câblage verticaux dans les circuits de mémoire permettent de les empiler les uns sur les autres pour augmenter la capacité. Le principe est le même que celui d’AMD 3D V-Cache. C’est ainsi que Samsung entend fabriquer des modules de mémoire DDR5 avec des capacités allant jusqu’à 512 Go et 1 To chacun.
Sans TSV, les limites sont fixées en partie par la capacité des circuits de mémoire individuels, qui ne peuvent pas être réduits de la même manière qu’il était historiquement possible, et en partie par bon nombre de ceux-ci qui tiennent sur une carte de circuit imprimé. Selon Brian Drakeresponsable du développement commercial chez Micron, la limite aujourd’hui est précisément le pas entre 64 et 128 Go – 96 Go.