Canon présente un nouveau système de lithographie avec un grand champ d’exposition à haute résolution pour la production de capteurs CMOS plein format, d’appareils XR et autres

TOKYO, 13 mars 2023—Canon Inc. a annoncé aujourd’hui que la société lancera le moteur pas à pas i-line FPA-5550iX¹ système de lithographie à semi-conducteurs pour processus front-end qui réalise un grand champ d’exposition de 50 x 50 mm et une haute résolution de 0,5 micromètre².

Le nouveau système présente un grand champ d’exposition de 50 x 50 mm et une haute résolution de 0,5 micromètre permettant une exposition unique d’un grand champ avec la haute résolution requise pour produire des capteurs CMOS plein format et d’autres dispositifs dans lesquels une plus grande précision progresse. Le nouveau système est également capable de fabriquer de petits écrans pour des dispositifs tels que des visiocasques. Il permet également l’exposition unique haute résolution requise pour la fabrication de panneaux micro-OLED à contraste élevé³ avec de larges angles de vision, qui devraient se développer en tant qu’écrans pour les appareils XR de pointe. En plus des dispositifs à semi-conducteurs, le nouveau FPA-5550iX peut également fabriquer des écrans pour les dispositifs XR de pointe, prenant ainsi en charge la fabrication d’une large gamme de dispositifs.

Le FPA-5550iX utilise le même objectif de projection utilisé par son prédécesseur, le FPA-5510iX (sorti en septembre 2015) qui permet une haute résolution de 0,5 µm. Grâce à un large champ d’exposition de 50 x 50 mm, le système peut effectuer une exposition unique haute résolution pour les capteurs CMOS plein format, les écrans de nouvelle génération pour les appareils XR et plus encore. De plus, les processus de fabrication ont été affinés pour garantir une production stable et de haute qualité des lentilles de projection, dont beaucoup sont utilisées dans le système, afin de répondre à la forte demande attendue pour les systèmes de lithographie à semi-conducteurs.

De plus, une nouvelle portée d’alignement qui peut lire une plus grande variété de marques d’alignement⁴ a élargi la gamme de processus dans lesquels le FPA-5550iX peut être utilisé. En plus de la fonction “détection de fond clair” pour mesurer la lumière directe, une nouvelle fonction “détection de fond sombre” a été ajoutée à la portée d’alignement, permettant la mesure de la lumière diffusée et diffractée, permettant ainsi aux utilisateurs de sélectionner une large gamme des méthodes de mesure. La mesure à faible bruit a été rendue possible en élargissant la gamme de longueurs d’onde utilisables tout en utilisant un capteur de zone pour la mesure multi-pixel. Grâce à ces avancées, le système peut détecter et mesurer des repères d’alignement à faible contraste. De plus, le système peut éventuellement sélectionner une longueur d’onde infrarouge qui peut traverser le silicium, permettant aux utilisateurs de mesurer l’alignement à l’arrière de la plaquette, ce qui est une exigence pour la fabrication de capteurs rétro-éclairés. La flexibilité de la mesure des marques d’alignement permet ainsi au système d’être utilisé dans une variété de processus.

Lorsqu’il est associé à la plate-forme de solution Lithography Plus de Canon (sortie en septembre 2022), le FPA-5550iX offre aux opérateurs la possibilité de surveiller l’état du système de lithographie et d’effectuer des analyses, ce qui les aide à maintenir un contrôle qualité approprié et des taux d’utilisation plus élevés. .

• 1L’invention concerne un système de lithographie à semi-conducteur qui utilise une lampe au mercure de longueur d’onde de 365 nm comme source de lumière. 1 nm (nanomètre) correspond à 1 milliardième de mètre.
• 21 micromètre = 1/1 000 000 mètre
• 3Procédé de production d’écrans ultra-haute résolution, constitués de tranches de silicium présentant une qualité d’image caractéristique de l’OLED
• 4Marques placées sur les tranches de silicium pour garantir une superposition précise des motifs de circuit