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Plus grand, plus rapide et moins cher. Samsung a franchi une étape importante vers une nouvelle génération de SSD – Živě.cz

by Nouvelles
Plus grand, plus rapide et moins cher.  Samsung a franchi une étape importante vers une nouvelle génération de SSD – Živě.cz

Samsung a décollé production en série de la 9ème génération de mémoires NAND en couches, qui apporteront des vitesses et des capacités plus élevées des SSD, ou des prix plus bas tout en conservant les capacités actuelles. En 11 ans de développement, il est passé de 24 couches aux 290 actuelles.

Il s’agit jusqu’à présent d’une valeur record parmi les fabricants. Des échantillons de puces à 321 couches ont déjà été présentés par son rival coréen SK Hynix, mais la production en série ne commencera que dans un an. Et Samsung terminera probablement également la prochaine génération. L’entreprise espère franchir la barre des 1 000 couches d’ici 2030. Il s’agit d’un plan très ambitieux, étant donné qu’il faut environ un an et demi pour lancer une nouvelle génération et que les nouvelles puces ne passent pas par des centaines de couches.

D’une manière ou d’une autre, Samsung se vante d’avoir trouvé un moyen d’ajouter davantage d’« étages » à l’avenir. Elle produit les plus petites cellules mémoire au monde, 50 % de plus pouvant tenir dans le même volume que la génération précédente. Il a amélioré leur isolation et augmenté leur durée de vie. En conséquence, les couches individuelles sont plus fines et les canaux verticaux de données et d’énergie plus efficaces.

La nouvelle technologie a donné naissance à des puces de 1 To de type TLC, auxquelles s’ajouteront QLC au second semestre. Samsung a également augmenté le débit de 2,4 à 3,2 Gbps, tandis que la consommation a baissé de 10 %.

Dans les mois à venir, Samsung annoncera probablement son premier SSD vraiment rapide pour l’interface PCIe 5.0. La série 990 EVO l’utilise déjà, mais cela ne fait que gaspiller son potentiel. Mais les nouvelles puces sont plus prometteuses. Les SSD en contiennent généralement jusqu’à 16 dans un boîtier. Un « cafard » peut ainsi avoir 2 To et un débit de 6,4 Go/s. Deux ou quatre d’entre eux sont ensuite connectés au contrôleur.

Génération de puces V-NAND de Samsung

Couches V-NAND Capacité initiale Libération 1ère génération 24 128 Go 08/2013 2e génération 32 128 Go 05/2014 3e génération 48 256 Go 08/2015 4e génération 64 256 Go 06/2017 5e génération 96 256 Go 07/2017/2018 6e génération 136 256 Go 08/2019 7ème génération 176 512 Go 06/2021 8ème génération 236 1 To 11/2022 9ème génération 290 1 To 04/2024
2024-04-24 17:46:39
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