Samsung confirme la mémoire NAND de neuvième génération en 2024 – Ordinateur – Actualités

Samsung confirme qu’il présentera sa neuvième génération de mémoire 3D NAND l’année prochaine. Ces puces mémoire seraient constituées de plus de 300 couches. DigiTimes avait précédemment annoncé que la société publierait cette mémoire en 2024, mais Samsung l’a officiellement confirmé.

Jung-Bae Lee, responsable de la division mémoire de Samsung, confirme l’arrivée de la neuvième génération 3D V-Nand en 2024. La production de masse de cette mémoire devrait démarrer « au début de l’année prochaine ». Le PDG parle de « le plus grand nombre de couches dans l’industrie » avec une double pilestructure, bien qu’il ne mentionne pas un nombre précis de couches. En général, plus de couches équivalent à une capacité plus élevée par puce mémoire. Cela permet de produire des SSD avec des capacités de stockage plus importantes. De plus, les coûts de production par téraoctet diminuent normalement à mesure que le nombre de couches augmente.

Cependant, des rapports ont déjà circulé en août sur les prochaines puces mémoire de Samsung. DigiTimes a rapporté que la neuvième génération de 3D V-Nand se compose de « plus de 300 couches ». Ce média d’information avait déjà annoncé que les puces seraient produites en série l’année prochaine, ce qui a maintenant été confirmé. DigiTimes a également mentionné l’utilisation du double stack à l’époque. Tout d’abord, une pile de Nand 3D est produite sur une plaquette de 300 mm. Ensuite, une autre pile est produite par-dessus. Cela devrait garantir de meilleurs rendements, même si la production prend également plus de temps.

SK Hynix a précédemment présenté sa première mémoire NAND à 321 couches. Ce fabricant produira trois piles de Nand les unes sur les autres pour atteindre ce nombre de couches. Le fabricant de puces sud-coréen commencera la production en série de sa Nand 3D à 321 couches en 2025, AnandTech a déjà écrit.