Samsung développe la première DRAM GDDR7 du secteur avec une bande passante de 1,5 To/s

Après l’avoir montré pour la première fois le mois dernier, Samsung a maintenant annoncé que la phase de développement de la première solution DRAM GDDR7 du secteur est terminée. Cette nouvelle solution de mémoire haute vitesse de Samsung vient après celle de l’an dernier première DRAM GDDR6 24 Gbit/s de l’industrie.

Selon Yongcheol Bae de Samsung Electronics, vice-président exécutif de l’équipe de planification des produits de mémoire de l’entreprise, “Notre DRAM GDDR7 contribuera à améliorer l’expérience utilisateur dans les domaines qui nécessitent des performances graphiques exceptionnelles, telles que les stations de travail, les PC et les consoles de jeux, et devrait s’étendre à de futures applications telles que l’IA, le calcul haute performance (HPC) et les véhicules automobiles.”

Les points forts techniques de cette nouvelle puce mémoire incluent une bande passante 1,4 fois supérieure à la GDDR6 (1,5 TBps contre 1,1 TBps), une vitesse maximale boostée par broche de 32 Gbps, ainsi qu’une solide amélioration de 20% de l’efficacité énergétique. En plus de cela, l’utilisation d’un composé de moulage époxy pour le matériau d’emballage qui, parallèlement à l’optimisation de l’architecture IC de ces nouvelles puces mémoire, réduit la résistance thermique de 70 % par rapport à la GDDR6.

Les premiers produits matériels à utiliser la nouvelle DRAM GDDR7 de Samsung pourraient arriver sur le marché fin 2023, si tout se passe comme prévu. Plus d’informations à ce sujet devraient apparaître dans les prochains mois directement auprès des différents partenaires de Samsung impliqués, alors restez à l’écoute.

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