La V-NAND de huitième génération de Samsung offre à la fois la capacité de stockage la plus élevée du secteur et la densité de bits la plus élevée pour permettre un espace de stockage étendu dans les serveurs de nouvelle génération
SÉOUL, Corée du Sud, 07 novembre 2022–(FIL D’AFFAIRES)–Samsung Electronics Co., Ltd., le leader mondial de la technologie de mémoire avancée, comme promis lors du Flash Memory Summit 2022 et du Samsung Memory Tech Day 2022, a annoncé aujourd’hui qu’il avait commencé à produire en masse un triple-térabit (Tb) cellule de niveau (TLC) NAND verticale de huitième génération (V-NAND) avec la densité de bits la plus élevée de l’industrie. À 1 To, la nouvelle V-NAND présente également la capacité de stockage la plus élevée à ce jour, permettant un plus grand espace de stockage dans les systèmes de serveurs d’entreprise de nouvelle génération dans le monde entier.
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V-NAND Samsung 1 térabit de 8e génération (Photo : Business Wire)
“Alors que la demande du marché pour un stockage plus dense et de plus grande capacité pousse à un nombre plus élevé de couches V-NAND, Samsung a adopté sa technologie de mise à l’échelle 3D avancée pour réduire la surface et la hauteur, tout en évitant les interférences de cellule à cellule qui se produisent normalement avec la réduction “, a déclaré SungHoi Hur, vice-président exécutif de Flash Product & Technology chez Samsung Electronics. “Notre V-NAND de huitième génération nous aidera à répondre à la demande croissante du marché et à mieux nous positionner pour fournir des produits et des solutions plus différenciés, qui seront à la base même des futures innovations en matière de stockage.”
Samsung a pu atteindre la densité de bits la plus élevée du secteur en améliorant considérablement la productivité des bits par tranche. Basé sur l’interface Toggle DDR 5.0* – la dernière norme flash NAND – la V-NAND de huitième génération de Samsung offre une vitesse d’entrée et de sortie (E/S) allant jusqu’à 2,4 gigabits par seconde (Gbps), une augmentation de 1,2X par rapport à la la génération précédente. Cela permettra au nouveau V-NAND de répondre aux exigences de performances de PCIe 4.0, et plus tard, PCIe 5.0.
La V-NAND de huitième génération devrait servir de pierre angulaire aux configurations de stockage qui permettent d’étendre la capacité de stockage des serveurs d’entreprise de nouvelle génération, tout en étendant son utilisation au marché automobile où la fiabilité est particulièrement critique.
* Note de l’éditeur : basculer entre les générations d’interface DDR : 1.0 (133 Mbps), 2.0 (400 Mbps), 3.0 (800 Mbps), 4.0 (1 200 Mbps), 5.0 (2 400 Mbps)
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