– La gamme couvre les produits 1200V et 650V –
Les nouveaux produits réduisent la résistance à l’état passant par unité de surface (RDS(ON)A) d’environ 43 %[3]permettant d’abaisser d’environ 80 % la résistance à l’état passant drain-source * charge grille-drain (RDS(ON)*Qgd), un indice important qui représente la relation entre la perte de conduction et la perte de commutation.[4]. Cela réduit la perte de commutation d’environ 20 %[5], et réduit à la fois la résistance à l’état passant et la perte de commutation. Les nouveaux produits contribuent à une plus grande efficacité des équipements.
Toshiba continuera d’élargir sa gamme de dispositifs d’alimentation et d’améliorer ses installations de production, et vise à réaliser une économie sans carbone en fournissant des dispositifs d’alimentation hautes performances faciles à utiliser.
Remarques:
[2] MOSFET : transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur
[3] Comparaison des nouveaux MOSFET SiC 1200V lorsque RDS(ON)A est réglé sur 1 dans les MOSFET SiC de 2e génération. Enquête Toshiba.
[4] Comparaison des nouveaux MOSFET SiC 1 200 V lorsque RDS(ON)*Qgd est réglé sur 1 dans les MOSFET SiC de 2e génération. Enquête Toshiba.
[5] Comparaison des nouveaux MOSFET SiC 1200V et des MOSFET SiC de 2ème génération. Enquête Toshiba.
Applications
・Alimentation à découpage (serveurs, centre de données, équipement de communication, etc.)
・Bornes de recharge pour VE
・Onduleurs photovoltaïques
・Alimentation sans coupure (UPS)
Fonctionnalités
・Faible résistance à l’état passant par unité de surface (RDS(ON)A)
・Faible résistance drain-source à l’état passant * charge grille-drain (RDS(ON)*Qgd)
・Tension directe de diode faible : VDSF= -1,35 V (typ.) @VGS= -5 V
Spécifications principales
(@Ta=25°C sauf indication contraire)
Numéro de pièce Emballage Valeurs nominales maximales absolues Caractéristiques électriques Échantillon
Vérifier
&
Disponibilité
Drain-
la source
tension
VDSS
(V) Porte-
la source
tension
VGSS
(V) Vidange
courant
(CC)
IDENTIFIANT
(Un drain-
la source
Sur-
la résistance
RDS(ON)
typ.
(mΩ) Porte
au seuil
tension
Vème
(V) Totale
portail
charge
Qg
typ.
(nC) Porte-
drain
charge
Qgd
typ.
(nC) Entrée
capacitance
Ciss
typ.
(pF) Diode
vers l’avant
tension
VDSF
typ.
(V)
@Tc=25°C @VGS=18V @VDS=10V @VDS=400V,
f=100kHz @VGS= -5V
TW060N120C
36 60 46 7.8 1530 Acheter en ligne
TW140N120C
20 140 24 4.2 691 Acheter en ligne
TW015N65C
650 100 15 128 19 4850 Acheter en ligne
TW027N65C
58 27 65 10 2288 Acheter en ligne
TW048N65C
40 48 41 6.2 1362 Acheter en ligne
TW083N65C
30 83 28 3.9 873 Acheter en ligne
TW107N65C
20 107 21 2.3 600 Acheter en ligne
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1200 Produits
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À propos de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, l’un des principaux fournisseurs de solutions avancées de semi-conducteurs et de stockage, s’appuie sur plus d’un demi-siècle d’expérience et d’innovation pour offrir à ses clients et partenaires commerciaux des semi-conducteurs discrets, des LSI système et des produits HDD exceptionnels.
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Source : Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
